Privatdozent Dr. Markus Pristovsek
Unser in-situ STM für MOVPE-Wachstum gerendert von Dr. R. Kremzow	Oberflächenphysik des Halbleiterwachstums oder Verhalten sehr kleiner Moleküle auf sehr heißen Oberflächen ... Das erfordert die Konzeption, den Bau und die Anwendungung innovativer (meist optischer) Messmethoden. Neben Ellipsometrie und Reflexionsanisotropie Spektroskopie, ist rechts das weltweit einzigartige Rastertunnelmikroskop für solche Messungen zu sehen.

Mein Motto

Der vernünftige Mensch passt sich an; der unvernünftige Mensch versucht beharrlich, die Welt an sich anzupassen. Daher ist jeder Fortschritt auf unvernünftige Menschen angewiesen.

sehr frei nach George Bernard Shaw

Zeit jenseits der Physik

• Zuerst meine Familie, insbesondere meine Kinder Kira und Aki
• Programmieren (Simutrans (Transportsimulator), DOS & Windows-Programme und antikes für Atari ST, sowie für den Palm)
• Lesen und Schreiben (siehe mein Archiv deutschsprachiger SF&F)
• Gitarre
• Segeln (rechts die Falado von Rhodos, das Schiff mit dem ich 1994 den Atlantik überquerte)
• Nach meinen 27 Monaten dort natürlich Japan, ein Land voller Widersprüche zwischen Leibeigenschaft und modernem Individuum.
• . . .

Persönliches ...

Geboren am 9. Juni 1970 in Berlin, seit 9.5.2003 verheiratet, 2 Kinder.

Von September 1994 bis November 2000 war ich Wissenschaftlicher Mitarbeiter der Metall-organischen Gasphasenepitaxie (engl. MOVPE) Gruppe, mit gelegentlichen Ausflügen in die Welt des Ultrohochvakuums und zum (alten) Synchrotron BESSY. Obwohl Messungen des Wachstumsprozesses (in-situ ) eher Grundlagenforschung sind, bestand doch Nachfrage nach unseren Messaufbauten. Im Jahre 2000 wurde daher vom damaligen Privatdozenten Dr. J.-Thomas Zettler die Firma LayTec gegründet, die immer noch besteht und in 2009 und 2010 eine der fünfzig am schnellsten wachsenden Hightechfirmen in Deutschland war.

Nach meiner Promotion am 1. November 2000 ging ich nicht in die Wirtschaft, sondern trat am Tag darauf meinen Postdoc in Tsukuba ("tskuba") in Japan, am Nationalen Institut für Materialwissenschaften (NIMS) in der Forschungsgruppe Nanodevices an. Ab dem 2.10.2001 war ich durch ein selbst eingeworbenes Stipendium der Japanese Society for the Promotion of Science (JSPS) dort Stipendiat. Untersucht habe ich neben MBE Wachstum und Dotierung von GaAs und InAs-Quantenpunkte und auch Schwefel-terminiertes GaAs als Trägermaterial für Platinkatalysatoren für Suzuki-Kopplung und Heck-Reaktion. (Für die Entdeckung dieser Reaktionen gab es übrigens 2010 den Nobelpreis für Chemie, das Gebiet ist immer noch aktuell.) Aus unseren anfänglichen Arbeiten von 2002 wird wohl Anfang 2012 eine japanische Firma das Verfahren großtechnisch für die Synthese von Medikamenten einsetzen.

Von März bis Oktober 2003 arbeitete ich als Postdoc am Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnologie. Hier stand wieder MOVPE im Mittelpunkt der Forschungsaktivitäten, vor allem zu den Antimoniden und zum Wachstumsprozess von GaAs.

Seit November 2003 bin ich wieder an der TU Berlin, als Leiter der MOVPE-Aktivität in der AG Kneissl. Schwerpunkt meiner Arbeiten sind Untersuchungen des Wachstumsprozesse durch weiterentwickelte in-situ Messmethoden wie zum Beispiel das einzige Multikanal-Reflektionanisotropiespektrometer. Ein besondere Highlight ist das in-situ Rastertunnelmikroskop (in-situ STM), das erste und immer noch einzige STM weltweit in der MOVPE bzw. bei Temperaturen über 500°C außerhalb vom Hochvakuum.

Am 23.11.2011 habe ich in Experimentalphysik habilitiert. Aktuell sind Nanostrukturbildung im System AlGaN, sowie GaN und InGaN Quantenpunkte Schwerpunkt der Forschung.

Institutsadresse

email: prissi@physik.tu-berlin.de

An der TU-Berlin

PD Dr. Markus Pristovsek

Institut für Festkörperphysik
Sekretariat EW6-1
Hardenbergstraße 36

D-10623 Berlin

Germany

Tel. ++49-30-314-22745
Fax ++49-30-314-21769

Abschlussarbeiten und Buchkapitel

1. In-situ monitoring towards monolayer precision for III-V semiconductor growth
   M. Pristovsek
   Habilitation, Technische Universität Berlin (2012)

2. Semiconductor Nanostructures
   M. Pristovsek, W. Richter
   (Springer, Berlin-Heidelberg-New York, 2008) Chapter 3, 67–86

3. Fundamental Growth Processes on Different Gallium Arsenide Surfaces in Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
   M. Pristovsek
   Ph.D. thesis, Technische Universität Berlin (2000)

Veröffentlichungen in referierten Zeitschriften

Teilweise auch in der Literaturliste der Forschungsgruppe Kneissl zu finden.

4. Development of InAs quantum dots during growth on GaAs (001)
   M. Pristovsek, R. Kremzow, M. Kneissl
   Phys. Rev. B (under revision)

5. Wetting layer thickness of InGaN quantums dots on GaN (0001)
   M. Pristovsek, A. Kadir, C. Meissner, T. Schwaner, M. Leyer, J. Stellmach, M. Kneissl, F. Ivaldi, S. Kret
   J. Crystal Growth (under revision)

6. Role of nitridation on the growth and the polarity of InN by metal-organic vapor phase epitaxy
   Duc V. Dinh, D. Skuridina, S. Solopow, M. Pristovsek, P. Vogt, M. Kneissl
   J. Appl. Phys. (submitted)

7. Influence of group III and group V partial pressures on the size and density of InGaN quantum dots in MOVPE
   A. Kadir, K. Bellmann, T. Simoneit, M. Pristovsek, M. Kneissl
   phys. stat. sol. (a) early view (2012)

8. Topography of (20-21) AlGaN, GaN and InGaN layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy
   S. Ploch, T. Wernicke, J. Thalmair, M. Lohr, M. Pristovsek, M. Weyers, J. Zweck, M. Kneissl
   J. Crystal Growth 356 (2012) 70-74

9. MOVPE growth of semipolar (11-22) AlN on (10-10) sapphire
   J. Stellmach, M. Frentrup, F. Mehnke, M. Pristovsek, T. Wernicke, M. Kneissl
   J. Crystal Growth 335 (2012) 59-62

10. Growth and Characterizations of Semipolar (11-22) InN
    Duc V. Dinh, D. Skuridina, S. Solopow, M. Frentrup, M. Pristovsek, P. Vogt, M. Kneissl, F. Ivaldi, S. Kret, A. Szczepanska
    J. Appl. Phys. 112 (2012) 013530

11. In situ access to the dielectric anisotropy of buried III-V/Si(100) heterointerfaces
    Oliver Supplie, Thomas Hannappel, Markus Pristovsek, Hennig Döscher
    Phys. Rev. B 86 (2012) 035308

12. Surface diffusion and layer morphology of (11-22) GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
    S. Ploch, T. Wernicke, D. V. Dinh, M. Pristovsek, M. Kneissl
    J. Appl. Phys. 111 (2012) 033526

13. Comparison study of N- and In-polar {0001} InN layers grown by MOVPE
    Duc V. Dinh, M. Pristovsek, S. Solopow, D. Skuridina, M. Kneissl
    phys. stat. sol. (c) 9(3-4) (2012) 977-981

14. Surface transition induced island formation on thin strained InGaN layers on GaN (0001) in metal-organic vapour phase epitaxy
    M. Pristovsek, A. Kadir, C. Meissner, T. Schwaner, M. Leyer, M. Kneissl
    J. Appl. Phys. 110 (2011) 073527

15. Growth mechanism of InGaN quantum dots during metalorganic vapour phase epitaxy
    A. Kadir, C. Meissner, T. Schwaner, M. Pristovsek, M. Kneissl
    J Crystal Growth 314 (2011) 40–45

16. Single phase 11-22 GaN on (10-10) sapphire grown by metal-organic vapor phase epitaxy
    S. Ploch, J. B. Park, J. Stellmach, T. Schwaner, M. Frentrup, T. Niermann, T. Wernicke, M. Pristovsek, M. Lehmann, M. Kneissl
    J Crystal Growth 331 (2011) 25–28

17. Growth Mechanism of Embedded Self-Organized InN Quantum Dots on GaN (0001) in MOVPE
    F. Ivaldi, J. Domagala, S. Kret, C. Meissner, M. Pristovsek, M. Högele, M. Kneissl
    Jap. J. Appl Phys. 50 (2011) 031004

18. Crystal orientation of GaN layers on (10-10) Sapphire
    M. Frentrup, S. Ploch, M. Pristovsek, M. Kneissl
    phys. stat. sol. (b) 248 (3) (2011) 583–587

19. High aluminium content and high growth rates of AlGaN in a close-coupled showerhead MOVPE reactor
    J. Stellmach, M. Pristovsek, . Savaş, J. Schlegel, E. Y. Yakovlev, M. Kneissl
    J. Crystal Growth 315 (2011) 229–232

20. Determination of the complex linear electro-optic coefficient of GaAs and InP
    M. Pristovsek
    phys. stat. sol. (b) 247 (2010) 1974–1978

21. Orientation control of GaN 11-22 and 10-13 grown on (10-10) sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy
    S. Ploch, M. Frentrup, T. Wernicke, M. Pristovsek, M. Weyers, M. Kneissl
    J. Crystal Growth 312 (2010) 2171–2174

22. Growth of semipolar (10-1-3) InN on m-plane sapphire using metal-organic vapor phase epitaxy
    D. V. Dinh, M. Pristovsek, R. Kremzow, M. Kneissl
    phys. stats. sol. RRL 4 (2010) 127–129

23. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of InN on GaN using tertiary-butylhydrazine as Nitrogen Source
    R. Kremzow, M. Pristovsek, J. Stellmach, . Savas, M. Kneissl
    J. Crystal Growth 312 (2010) 1983–1985

24. Shape of InN nanostructures on GaN (001)
    S. Ploch, C. Meißner, M. Pristovsek, M. Kneissl
    phys. stat. sol. (c) 6(S2) (2009) S574–S577

25. Growth mode of InGaN on GaN (0001) in MOVPE
    M. Pristovsek, J. Stellmach, M. Leyer, M. Kneissl
    phys. stat. sol. (c) 6(S2) (2009) S565–S569

26. Volmer-Weber growth mode on InN quantum dots on GaN (0001) by MOVPE
    C. Meißner, S.Ploch, M. Pristovsek, M. Kneissl
    phys. stat. sol. (c) 6(S2) (2009) S545–S548

27. Growth and characterisation of manganese doped InAsP
    M. Pristovsek, C. Meißner, M. Kneissl, R. Jakomin, S. Vantaggio, L. Tarricone
    J. Crystal Growth 310 (2008) 5028–5031

28. Indium nitride quantum dot growth modes in metalorganic vapour phase epitaxy
    C. Meissner, S. Ploch, M. Leyer, M. Pristovsek, M. Kneissl
    J. Crystal Growth 310 (2008) 4959–4962

29. The critical thickness of InGaN on (0001) GaN
    M. Leyer, J. Stellmach, C. Meissner, M. Pristovsek, M. Kneissl
    J. Crystal Growth 310 (2008) 4913–4915

30. Ripening of InAs quantum dots on GaAs (0 0 1) investigated with in situ scanning tunneling microscopy in metal-organic vapor phase epitaxy
    R. Kremzow, M. Pristovsek, M. Kneissl
    J. Crystal Growth 310 (2008) 4751–5753

31. Properties of InMnP (0 0 1) grown by MOVPE
    M. Pristovsek, A. Philippou, B. Rähmer, W. Richter
    J. Crystal Growth 310 (2008) 4046–4049

32. Segregation and desorption of antimony in InP in MOVPE
    S. Weeke, M. Leyer, M. Pristovsek, F. Brunner, W. Richter
    J. Crystal Growth 298 (2007) 159–162

33. Homoepitaxial growth rate measurement using in-situ Reflectance Anisotropy Spectroscopy
    C. Kaspari, M. Pristovsek, W. Richter
    J. Crystal Growth 298 (2007) 46–49

34. in-situ Scanning Tunnelling Microscopy during Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy
    M. Pristovsek, B. Rähmer, M. Breusig, R. Kremzow, W. Richter
    J. Crystal Growth 298 (2007) 8–11

35. Modified STM images growth inside an MOCVD chamber
    M. Pristovsek
    compound semiconductor 11 (2006) 14–16

36. In-situ Scanning Tunneling Microscopy during Metal-organic Vapour Phase Epitaxy
    B. Rähmer, M. Pristovsek, M. Breusing, R. Kremzow, W. Richter
    Appl. Phys. Lett. 89(6) (2006) 063108

37. InN growth on sapphire using different nitridation procedures
    M. Drago, C. Werner, M. Pristovsek, U. W. Pohl, W. Richter
    phys. stat. sol. (a) 203 (2006) 1622–1625

38. Development of InN metalorganic vapor phase epitaxy using in-situ spectroscopic ellipsometry
    M. Drago, C. Werner, M. Pristovsek, U. W. Pohl, W. Richter
    Crys. Res. Technol. 40(10-11) (2005) 993–996

39. A fast reflectance anisotropy spectrometer for in situ growth monitoring
    C. Kaspari, M. Pristovsek, W. Richter
    phys. stat. sol. (b) 242(13) (2005) 2561–2569

40. Growth of strained GaAsSb layers on GaAs (001) in MOVPE
    M. Pristovsek, M. Zorn, U. Zeimer, M. Weyers
    J. Crystal Growth 276 (2005) 347–353

41. InN Growth and Annealing Investigations using in-situ Spectroscopic Ellipsometry
    M. Drago, T. Schmidtling, C. Werner, M. Pristovsek, U. Pohl, W. Richter
    J. Crystal Growth 272 (2004) 87–93

42. Nitrogen.arsenic exchange processes and investigation of the nitrided GaAs surfaces in MOVPE
    V. Hoffmann, F. Poser, C. Kaspari, S. Weeke, M. Pristovsek, W. Richter
    J. Crystal Growth 272 (2004) 30–36

43. Structural analysis by reflectance anisotropy spectroscopy: As and Sb on GaAs(110)
    O. Pulci, K. Fleischer, M. Pristovsek, S. Tsukamoto, R. D. Sole, W. Richter
    J. Phys.: Cond. Matter 16 (2004) S4367–S4374

44. In-situ study of low-temperature growth and Mn and Si and Sn doping of GaAs (001) in molecular beam epitaxy
    M. Pristovsek, S. Tsukamoto
    J. Crystal Growth 265 (2004) 425–433

45. Lateral short range ordering of step bunches in InGaAs/GaAs superlattices
    M. Hanke, M. Schmidbauer, R. Kühler, H. Kirmse, M. Pristovsek
    J. Appl. Phys. 95(4) (2004) 1736–1739

46. In-situ study of GaAs growth mechanisms using tri-methyl gallium and tri-ethyl gallium precursors in MOVPE
    M. Pristovsek, M. Zorn, M. Weyers
    J. Crystal Growth 262 (2004) 78–83

47. Gallium-rich reconstructions on GaAs(001)
    M. Pristovsek, S. Tsukamoto, A. Ohtake, N. Koguchi, B. G. Orr, W. G. Schmidt, J. Bernholc
    phys. stat. sol. b 240 (2003) 91–98

48. In situ scanning tunneling microscopy of InAs quantum dots on GaAs(0 0 1) during molecular beam epitaxial growth
    G. R. Bell, M. Pristovsek, S. Tsukamoto, B. G. Orr, Y. Arakawa, N. Koguchi
    Surf. Sci. 544(2-3) (2003) 234–240

49. Ga-rich GaAs(0 0 1) surfaces observed by STM during high-temperature annealing in MBE
    S. Tsukamoto, M. Pristovsek, A. Ohtake, B. G. Orr, G. R. Bell, T. Ohno, N. Koguchi
    J. Crystal Growth 251 (2003) 46–50

50. Influence of the reconstruction of GaAs (0 0 1) on the electro-optical bulk properties
    M. Pristovsek, S. Tsukamoto, B. Han, J.-T. Zettler, , W. Richter
    J. Crystal Growth 248 (2003) 254–258

51. Structure of Ga-stabilized GaAs(0 0 1) surfaces at high temperatures
    A. Ohtake, S. Tsukamoto, M. Pristovsek, N. Koguchi
    Appl. Surf. Sci. 212-213 (2003) 146–150

52. Novel Organopalladium Material Formed on a Sulfur-Terminated GaAs(001) Surface
    M. Arisawa, S. Tsukamoto, M. Shimoda, M. Pristovsek, A. Nishida
    Jpn. J. Appl. Phys. 41(11A) (2002) L1197–L1199

53. Structure analysis of the Ga-stabilized GaAs(001) - c(8x2) surface at high temperatures
    A. Ohtake, S. Tsukamoto, M. Pristovsek, N. Koguchi, M. Ozeki
    Phys. Rev. B 65 (2002) 233311

54. Real-time calibration of wafer temperature and growth rate and composition by optical in-situ techniques during Al_xGa_1-xAs growth in MOVPE
    K. Haberland, A. Kaluza, M. Zorn, M. Pristovsek, H. Hardtdegen, M. Weyers, J.-T. Zettler, W. Richter
    J. Crystal Growth 240 (2002) 87–97

55. In-situ Determination of the Carrier Concentration of (001) GaAs by Reflectance Anisotropy Spectroscopy
    M. Pristovsek, S. Tsukamoto, N. Koguchi, B. Han, K. Haberland, J.-T. Zettler, W. Richter, M. Zorn, M. Weyers
    phys. stat. sol. (a) 188 (2001) 1423–1429

56. In-situ Investigation of GaAs (001) Intrinsic Carbon p-Doping in Metal-organic Vapour Phase Epitaxy
    M. Pristovsek, B. Han, J.-T. Zettler, W. Richter
    J. Crystal Growth 221 (2000) 149–155

57. Surface structure of ordered InGaP(001): The (2x4) reconstruction
    P. Vogt, K. Lüdge, M. Zorn, M. Pristovsek, W. Braun, W. Richter, N. Esser
    Phys. Rev. B 62(19) (2000) 12601–12604

58. Atomic structure and composition of the (2x4) reconstruction of InGaP(001)
    P. Vogt, K. Lüdge, M. Zorn, M. Pristovsek, W. Braun, W. Richter, N. Esser
    J. Vac. Sci. Technol. B 18 (2000) 2210–2214

59. Diffusion of Ga on GaAs (113) in [1-10] direction in MOVPE
    M. Pristovsek, F. Poser, J.-T. Zettler, W. Richter
    Appl. Surf Sci. 166 (2000) 433–436

60. Dynamic Study of the Surfaces of (001) Gallium Arsenide in Metal-organic Vapour Phase Epitaxy during Arsenic Desorption
    M. Pristovsek, T. Trepk, M. Klein, J.-T. Zettler, W. Richter
    J. Appl. Phys. 87 (2000) 1245–1250

61. GaP(001) and InP(001): Reflectance Anisotropy and Surface Geometry
    N. Esser, W. Schmidt, J. Bernholc, A. Frisch, P. Vogt, M. Zorn, M. Pristovsek, W. Richter, F. Bechstedt, T. Hannappel, S. Visbeck
    J. Vac. Sci. Technol. B 17 (1999) 1691–1696

62. The (2x4) GaP(001) Surface: Atomic Structure and Optical Anisotropy
    A. Frisch, W. Schmidt, J. Bernholc, M. Pristovsek, N. Esser, W. Richter
    Phys. Rev. B 60(4) (1999) 2488–2494

63. Spectroscopic process sensors in MOVPE device production
    K. Haberland, P. Kurpas, M. Pristovsek, J.-T. Zettler, M. Weyers, W. Richter
    Appl. Phys. A 68 (1999) 309–313

64. Comparative study of the GaAs (113) and (115) and (001) and (11-5) and (11-3) and and (110) surfaces by atomic force microscopy and low energy electron diffraction and and reflectance anisotropy spectroscopy
    M. Pristovsek, H. Menhal, T. Schmidtling, N. Esser, W. Richter
    Microelectronics Journal 30 (1999) 449–453

65. In situ characterization of GaAs growth in nitrogen atmosphere during MOVPE: a comparison to hydrogen atmosphere
    H. Hardtdegen, M. Pristovsek, H. Menhal, J.-T. Zettler, W. Richter, D. Schmitz
    J. Crystal Growth 195 (1998) 211–216

66. Response of the surface dielectric function to dynamic surfaces modifications: application of reflectance anisotropy spectroscopy and spectroscopic ellipsometry
    J.-T. Zettler, M. Pristovsek, T. Trepk, A. Shkrebtii, E. Steimetz, M. Zorn, W. Richter
    Thin Solid Films 313-314 (1998) 537–543

67. Real-time monitoring of MOVPE device growth by reflectance anisotropy spectroscopy and related optical techniques
    J.-T. Zettler, K. Haberland, M. Zorn, M. Pristovsek, W. Richter, P. Kurpas, , M. Weyers
    J. Crystal Growth 195 (1998) 151–162

68. Reconstructions of the GaAs (113) surface
    M. Pristovsek, H. Menhal, T. Wehnert, J.-T. Zettler, T. Schmidtling, N. Esser, W. Richter, C. Setzer, J. Platen, K. Jacobi
    J. Crystal Growth 195 (1998) 1–5

69. Photoluminescence scanning nearfield optical microscopy on III-V quantum dots
    D. Pahlke, F. Poser, E. Steimetz, M. Pristovsek, N. Esser, W. Richter
    phys. stat. sol. (a) 170 (1998) 401

70. Atomic structure of InP(001)-(2x4): A dimer reconstruction
    W. Schmidt, F. Bechstedt, N. Esser, M. Pristovsek, C. Schultz, W. Richter
    Phys. Rev. B. 57(23) (1998) 14596–14599

71. Ellipsometric and Reflectance-Anisotropy Measurements on Rotating Samples
    K. Haberland, O. Hunderi, M. Pristovsek, J.-T. Zettler, W. Richter
    Thin Solid Films 313-314 (1998) 620–624

72. Optical anisotropies of InP(001) surfaces
    C. Goletti, N. Esser, U. Resch-Esser, V. Wagner, J. Foeller, M. Pristovsek, W. Richter
    J. Appl. Phys. 81 (1997) 3611–3615

73. Structure of InP (001) surfaces prepared by decapping and by ion bombardment and annealing
    D. Pahlke, J. Kinsky, C. Schultz, M. Pristovsek, M. Zorn, N. Esser, W. Richter
    Phys. Rev. B 56 (1997) R1661–R1663

74. In-situ surface passivation of III-V-semiconductors in MOVPE by amorphous As and P layers
    K. Knorr, M. Pristovsek, U. Resch-Esser, N. Esser, M. Zorn, W. Richter
    J. Crystal Growth 170 (1997) 230–236

75. Semiconductor Characterization - Present Status and Future Needs
    J.-T. Zettler, W. Richter, K. Ploska, M. Zorn, J. Rumberg, C. Meyne, M. Pristovsek
    (AIP Press Woodbury NY, 1996) 537–543

76. Scanning-tunneling-microscopy study of InP (001) surfaces prepared by UHV decapping of MOVPE-grown samples
    N. Esser, U. Resch-Esser, M. Pristovsek, W. Richter
    Phys. Rev. B 53(20) (1996) R13257–R13259

77. Growth oscillations with monolayer periodicity monitored by ellipsometry during MOVPE of GaAs (001)
    J.-T. Zettler, T. Wethkamp, M. Zorn, M. Pristovsek, C. Meyne, K. Ploska, W. Richer
    Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3783–3785

78. Metalorganic Vapour Phase Epitaxial Growth on Vicinal GaAs (001) Surfaces Studied by Reflectance Anisotropy Spectroscopy
    K. Ploska, M. Pristovsek, W. Richter, J. Jönsson, I. Kamiya, J.-T. Zettler
    phys. stat. sol. (a) 152 (1995) 49–59

79. Reflectance Anisotropy Oscillations during MOCVD and MBE Growth of GaAs (001)
    J.-T. Zettler, J. Rumberg, K. Ploska, K. Stahrenberg, M. Pristovsek, W. Richter, M. Wassermeier, P. Schützendüwe, L. Däweritz
    phys. stat. sol. (a) 152 (1995) 35–47

80. Surface processes before and during growth of GaAs(001)
    K. Ploska, J.-T. Zettler, W. Richter, J. Jönsson, F. Reinhardt, J. Rumberg, M. Pristovsek, M. Zorn, D. Westwood, R. H. Williams
    J. Crystal Growth 145 (1994) 44–52

81. Efficiency of arsenic and phosphorous precursors investigated by reflectance anisotropy spectroscopy
    P. Kurpas, J. Jönsson, W. Richter, D. Gutsche, M. Pristovsek, M. Zorn
    J. Crystal Growth 145 (1994) 36–43

Extended Abstracts auf internationalen Konferenzen

Growth of AlGaN with high Al-content and high growth rates in a CCS reactor
J.Stellmach, Ö. Savaş, J. Schlegel, M. Pristovsek, M. Kneissl
Proc. 13th EW-MOVPE workshop (2009) 155-158, B.07

Growth of InN on GaN by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy using tertiary-butylhydrazine as alternative nitrogen source
R. Kremzow, M. Pristovsek, J. Stellmach, Ö. Savaş, M. Kneissl
Proc. 13th EW-MOVPE workshop (2009) 233-236, C.07

2D-3D Transition and Relaxation During Strained Compound Semiconductor Growth
M. Pristovsek, M. Leyer, J. Stellmach, R. Kremzow, M. Kneissl
Proc. 13th EW-MOVPE workshop (2009) 245-236, C.10

Growth of GaN on (10-10) (m-plane) sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy
S. Ploch, M. Frentrup, T. Wernicke, M. Pristovsek, M. Weyers, M. Kneissl
Proc. 13th EW-MOVPE workshop (2009) 317-320, D.07

Characterisation of MOVPE grown InGaN
M. Leyer, Ch. Meißner, M. Pristovsek, M. Kneissl
Proc. 12th EW-MOVPE workshop (2007) 255-256, G5

Formation of InAs Quantum Dots on GaAs:Si investigated with in-situ STM
R. Kremzow, M. Pristovsek, B. Rähmer, M. Breusing, M. Kneissl
Proc. 12th EW-MOVPE workshop (2007) 265-266, G8

In-situ Scanning Tunneling Microscopy during MOVPE
M. Pristovsek, B. Rähmer, M. Breusing, R. Kremzow, W. Richter
Proc. 11th EW-MOVPE workshop (2005) 111-115, INV

A multichannel RAS setup for fast in situ measurements
Ch. Kaspari, M. Pristovsek, S. Weeke, W. Richter
Proc. 11th EW-MOVPE workshop (2005) 155-157, C01

In-situ SPM Measurements during MOVPE
B. Rähmer, M. Breusing, R. Kremzow, M. Pristovsek, W. Richter
Proc. 11th EW-MOVPE workshop (2005) 167-169, C04

InN growth on sapphire using different nitridation procedures
M. Drago, C. Werner, M. Pristovsek, U.-W. Pohl, W. Richter
Proc. 11th EW-MOVPE workshop (2005) 431-433, H15

The Influence of GaAs (001) Surface Reconstruction on the Doping Induced Reflectance Anisotropy Signals
Markus Pristovsek, Shiro Tsukamoto, Nobuyuki Koguchi, Jerzy Bernholc, and Wolf Gero Schmidt
21st Electronics Materials Symposium, Izu-Nagaoka (2002), 257-258

Basic Studies on the Origin of the Optical Anisotropy of GaAs Surfaces
M. Pristovsek, S. Tuskamoto, N. Koguchi, B. Han, K. Haberland, J.-T. Zettler, W. Richter
6th Int. Symposium on Advanced Physical Fields, Tsukuba, (2001), 267-270

Study of Sulfur terminated InAs and GaAs (001)
Markus Pristovsek, Shiro Tsukamoto, Noboyuki Koguchi
8th Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces, Sapporo, (2001), 202

The Origin of the Optical Anisotropy of Doped GaAs (001) Surfaces
M. Pristovsek, S. Tuskamoto, N. Koguchi, B. Han, K. Haberland, J.-T. Zettler, W. Richter
20th Electronics Materials Symposium, Nara (2001), 131-132

Formation of Mesoscopic Corrugation on (113) Surfaces - Molecular Beam Epitaxy versus Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy
M. Pristovsek, S. Tsukamoto, N. Koguchi
28th Int. Symposium on Compound Semiconductors, Tokyo, (2001), 29

MOVPE of GaAsN on GaAs(001) using tertiarybutylhydrazine
T. Schmidtling, M. Klein, M. Pristovsek, K. Knorr, U. W. Pohl, W. Richter
Proc. 8th EW-MOVPE workshop (1999) 433-435, F1M10

Reconstruction and step-bunching on (001) GaAs
M. Pristovsek, F. Poser, J.-T. Zettler, W. Richter
Proc. 8th EW-MOVPE workshop (1999) 353-356, T2M5

Investigation of (n11) GaAs Surfaces with Reflectance Anisotropy Spectroscopy
M. Pristovsek, H. Menhal, J.-T. Zettler, W. Richter, C. Setzer, J. Plaaten, K. Jacobi
Proc. SIO-97 (1997) 96-97

Reflectance Anisotropy Spectroscopy Study of Decapped InP(100) Surfaces
C. Goletti, N. Esser, J. Foeller, M. Pristovsek, U. Resch-Esser, V. Wagner, W. Richter
15th General Conf. Condens. Mater. Div. EPS, Baveno-Stresa (1996)

Eingeladene Vorträge

Growth of In(Ga)As and In(Ga)N Nanostructures by Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy
2011 International Seminar at Anan National College of Technology, Anan, Japan

Growth and polarity control of InN grown by metal-organic vapour phase epitaxy
E-MRS Spring Meeting 2011 in Nizza, Frankreich

In-situ monitoring of doping with Reflectance Anisotropy Spectrocopy
3^rd NanoCharm Workshop on Non-Destructive Real Time Process Control 2010, Berlin

Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy of Nitride Semiconductors
II^nd Rainbow-Workshop 2010 in Madrid, Spanien

Physikalische Fortgeschrittenenpraktikum an der TU Berlin
Tagung der Praktikumsleiter für Physik 2009, Berlin

Towards Atomic Resolution during Vapour Phase Epitaxial Growth
SemiconNano 2009, Anan, Japan

State of the Art of in-situ Monitoring in Metal Organic Vapour Phase Epitaxy
2007 International Seminar at Anan National College of Technology in Anan, Japan

Surface and thin film analysis during vapour phase epitaxial growth
13^th International Summer School on Crystal Growth (2007) in Salt Lake City, USA

in-situ STM in MOVPE - Promises, Problems, Pictures
13^th International Conference on MOVPE (2006) in Miyazaki, Japan

In-situ Scanning Tunneling Microscopy during MOVPE
11^th European Workshop on MOVPE (2005) in Lausanne, Schweiz

In-situ Reflectance Anisotropy Spectroscopy on III-V Semiconductors: Surfaces and Doping
1^st Optical Spectroscopy of Surfaces and Interfaces (OSI-2001) in Bonn, Deutschland

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