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| Homepage Markus Pristovsek | |
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SpezialgebieteEpitaxie und in-situ-Charakterisierung mit RAS, Dotierung, Diffusion und Oberflächenprozesse
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| Homepage Markus Pristovsek | |
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SpezialgebieteEpitaxie und in-situ-Charakterisierung mit RAS, Dotierung, Diffusion und Oberflächenprozesse
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| Mein Motto |
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Der vernünftige Mensch passt sich an; der unvernünftige Mensch versucht beharrlich, die Welt an sich anzupassen. Daher ist jeder Fortschritt auf unvernünftige Menschen angewiesen. |
| sehr frei nach George Bernard Shaw |
| Meine Hobbys |
| Persönliches ... |
Von September 1994 bis November 2000 war ich Wissenschaftlicher Mitarbeiter der MOVPE- und in-situ-Gruppe, mit gelegentlichen Ausflügen in die Welt des UHVs und BESSYs. Lustig ist's, wie das Foto der Co-Worker beweißt: Dr. Seltsams MOVPE-Gruppe. Zu finden ist das Labor im Neubau Physik in den Räumen PN-604a und 643.
Seit November 2000 bin ich promoviert und habe meinen Postdoc in Tsukuba ("tskuba") in Japan, am Nationalen Institut für Materialwissenschaften (NIMS) in der Forschungsgruppe Nanodevices gemacht. Dabei wurde MBE Wachstum von GaAs in verwandten III-V-Halbleitern untersucht und neue Materialien für ,,zero entropy computing" und für die Katalyse von organischen Verbindungen die für Malariemedizin benötigt werden.
Von März bis Oktober 2003 arbeitete ich am Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnologie im Forschungverbund Berlin e.V.. Hier stand wieder MOVPE im Mittelpunkt der Forschungsaktivitäten, vor allem zu den Antimoniden.
Und jetzt bin ich wieder zum Ausgangspunkt an die TU zurückgekehrt als Leiter der MOVPE-Gruppe in der AG Kneissl. Jetzt stehen neue Materialien wie InN und ferromagnetische Halbleiter im Vordergrund und außerdem wollen wir mit unserem in-situ STM die in-situ Charakterisierung des Wachstums auf eine neue Stufe stellen.
| Institutsadresse |
Tel. ++49-30-314-22 7 45 , Fax ++49-30-314-21 7 69
| Veröffentlichungen |
Teilweise auch in der Literaturliste der Forschungsgruppe Kneissl zu finden.
Investigation of (n11) GaAs Surfaces with Reflectance Anisotropy Spectroscopy
M. Pristovsek, H. Menhal, J.-T. Zettler, W. Richter, C. Setzer, J. Plaaten, K. Jacobi
Proc. SIO-97 (1997) 96-97
Reconstruction and step-bunching on (001) GaAs
M. Pristovsek, F. Poser, J.-T. Zettler, W. Richter
Proc. 8th EW-MOVPE workshop (1999) 353-356, T2M5
MOVPE of GaAsN on GaAs(001) using tertiarybutylhydrazine
T. Schmidtling, M. Klein, M. Pristovsek, K. Knorr, U. W. Pohl, W. Richter
Proc. 8th EW-MOVPE workshop (1999) 433-435, F1M10
Basic Studies on the Origin of the Optical Anisotropy of GaAs Surfaces
M. Pristovsek, S. Tuskamoto, N. Koguchi, B. Han, K. Haberland, J.-T. Zettler, W. Richter
6th Int. Symposium on Advanced Physical Fields, Tsukuba, (2001), 267-270
Study of Sulfur terminated InAs and GaAs (001)
Markus Pristovsek, Shiro Tsukamoto, Noboyuki Koguchi
8th Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces, Sapporo, (2001), 202
The Origin of the Optical Anisotropy of Doped GaAs (001) Surfaces
M. Pristovsek, S. Tuskamoto, N. Koguchi, B. Han, K. Haberland, J.-T. Zettler, W. Richter
20th Electronics Materials Symposium, Nara (2001), 131-132
Formation of Mesoscopic Corrugation on (113) Surfaces - Molecular Beam Epitaxy versus Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy
M. Pristovsek, S. Tsukamoto, N. Koguchi
28th Int. Symposium on Compound Semiconductors, Tokyo, (2001), 29
The Influence of GaAs (001) Surface Reconstruction on the Doping Induced Reflectance Anisotropy Signals
Markus Pristovsek, Shiro Tsukamoto, Nobuyuki Koguchi, Jerzy Bernholc, and Wolf Gero Schmidt
21st Electronics Materials Symposium, Izu-Nagaoka (2002), 257-258
In-situ Scanning Tunneling Microscopy during MOVPE
M. Pristovsek, B. Rähmer, M. Breusing, R. Kremzow, W. Richter
Proc. 11th EW-MOVPE workshop (2005) 111-115, INV
A multichannel RAS setup for fast in situ measurements
Ch. Kaspari, M. Pristovsek, S. Weeke, W. Richter
Proc. 11th EW-MOVPE workshop (2005) 155-157, C01
In-situ SPM Measurements during MOVPE
B. Rähmer, M. Breusing, R. Kremzow, M. Pristovsek, W. Richter
Proc. 11th EW-MOVPE workshop (2005) 167-169, C04
InN growth on sapphire using different nitridation procedures
M. Drago, C. Werner, M. Pristovsek, U.-W. Pohl, W. Richter
Proc. 11th EW-MOVPE workshop (2005) 431-433, H15
Characterisation of MOVPE grown InGaN
M. Leyer, Ch. Meißner, M. Pristovsek, M. Kneissl
Proc. 12th EW-MOVPE workshop (2007) 255-256, G5
Formation of InAs Quantum Dots on GaAs:Si investigated with in-situ STM
R. Kremzow, M. Pristovsek, B. Rähmer, M. Breusing, M. Kneissl
Proc. 12th EW-MOVPE workshop (2007) 265-266, G8
Growth of AlGaN with high Al-content and high growth rates in a CCS reactor
J.Stellmach, Ö. Savaş, J. Schlegel, M. Pristovsek, M. Kneissl
Proc. 13th EW-MOVPE workshop (2009) 155-158, B.07
Growth of InN on GaN by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy using tertiary-butylhydrazine as alternative nitrogen source
R. Kremzow, M. Pristovsek, J. Stellmach, Ö. Savaş, M. Kneissl
Proc. 13th EW-MOVPE workshop (2009) 233-236, C.07
2D-3D Transition and Relaxation During Strained Compound Semiconductor Growth
M. Pristovsek, M. Leyer, J. Stellmach, R. Kremzow, M. Kneissl
Proc. 13th EW-MOVPE workshop (2009) 245-236, C.10
Growth of GaN on (10-10) (m-plane) sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy
S. Ploch, M. Frentrup, T. Wernicke, M. Pristovsek, M. Weyers, M. Kneissl
Proc. 13th EW-MOVPE workshop (2009) 317-320, D.07
In-situ Scanning Tunneling Microscopy during MOVPE
11th European Workshop on MOVPE (2005) in Lausanne, Schweiz
in-situ STM in MOVPE - Promises, Problems, Pictures
13th International Conference on MOVPE (2006) in Miyazaki, Japan
Surface and thin film analysis during vapour phase epitaxial growth
13th International Summer School on Crystal Growth (2007) in Salt Lake City, USA
State of the Art of in-situ Monitoring in Metal Organic Vapour Phase Epitaxy
2007 International Seminar at Anan National College of Technology in Anan, Japan
Towards Atomic Resolution during Vapour Phase Epitaxial Growth
SemiconNano2009, Anan, Japan
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